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삼성전자, HBM 개발팀 신설로 미래 메모리 시장 선점에 나서다
삼성전자는 미래 메모리 시장에서 선두 자리를 확보하기 위해 메모리 사업부에 HBM(High Bandwidth Memory) 개발팀을 신설했습니다. 이번 조직 개편은 HBM 관련 인력과 자원을 통합하여 연구개발 및 상품화를 집중적으로 추진하려는 전략적 조치입니다.
HBM개발팀 신설 , 핵심 내용
HBM 개발팀 신설 배경 및 목표
- 인공지능(AI) 시장 성장과 더불어 고성능 메모리에 대한 수요가 급증하고 있는 가운데, 차세대 메모리 기술로 주목받는 HBM 분야에서 경쟁력 확보를 위해 설립되었습니다.
- 연구개발 효율성을 높이고 시너지를 창출하며 HBM 기술의 빠른 상용화를 통해 시장 경쟁력을 강화하고 미래 메모리 사업 성장을 견인하는 것을 목표로 합니다.
HBM 개발팀의 주요 임무
- HBM 기술 연구개발 및 표준화
- HBM 제품 설계 및 제조
- HBM 시장 분석 및 마케팅 전략 수립
- 주요 고객사와의 협력 강화
조직 개편의 기대 효과
- 연구개발 속도 향상 및 기술 경쟁력 강화
- HBM 제품 빠른 출시 및 시장 점유율 확대
- 고객사와의 협력 강화 및 사업 기회 확대
- 미래 메모리 사업 지속 가능한 성장
삼성전자의 HBM 사업 전망
- 높은 성장 가능성을 보유하고 있으며, 이번 조직 개편을 통해 시장 리더십을 확고히 할 것으로 전망됩니다.
- 차세대 HBM 기술인 HBM4 개발에도 적극 투자하여 경쟁사와의 차별화를 강화할 계획입니다.
손영수 부사장의 이력
손영수 부사장은 삼성전자 DS부문 메모리사업부에서 오랜 기간 동안 DRAM 설계 및 상품 기획 전문가로서 활약해왔습니다. 그의 주요 이력을 정리하면 다음과 같습니다
기본 정보
- 생년월일: 1974년 2월 14일
학력사항
- 학사: 서강대학교 전자공학과
- 석사: 포항공과대학교(POSTECH) 전자전기공학과
- 박사: 포항공과대학교(POSTECH) 전자전기공학과
주요 경력
- 2003.03 ~ 2015.12: 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 DRAM설계팀
- 2015.12 ~ 2016.04: 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀 Mobile마케팅그룹
- 2016.04 ~ 2017.05: 삼성전자 미주총괄 주재원
- 2017.05 ~ 2020.01: 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 DRAM설계팀
- 2020.01 ~ 현재: 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실 DRAM기획그룹장
- 2022년: 삼성전자 정기 임원 인사에서 부사장으로 승진
- 2024년: 삼성전자 메모리사업부 내 HBM 개발팀 신설, 팀 주도
상세 이력
- 손영수 부사장은 2003년 삼성전자에 입사한 이후, DRAM 설계와 상품 기획 분야에서 두각을 나타내며, 다양한 고성능 DRAM 제품의 개발과 시장 경쟁력 강화를 이끌어왔습니다. 그는 차세대 DRAM 제품 로드맵 구축과 신규 고객 확보를 통해 DRAM 사업의 경쟁력을 높이는 데 크게 기여했습니다.
- 2016년부터 2017년까지 미주총괄 주재원으로서 글로벌 시장에서의 경험을 쌓았으며, 이후 DRAM개발실 DRAM설계팀과 전략마케팅실 DRAM기획그룹장을 역임하면서 삼성전자의 메모리 사업 전략을 주도했습니다.
- 2022년 부사장으로 승진한 그는, 2024년 HBM 개발팀 신설을 주도하며 삼성전자의 HBM 기술 개발과 상품화를 이끌고 있습니다. HBM 개발팀은 고성능 D램 제품인 HBM의 기술 개발과 상품화를 목표로 하여, 삼성전자의 시장 경쟁력을 더욱 강화하는 데 중점을 두고 있습니다.
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